RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
38
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
3317
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link