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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparez
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Différences
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Raisons de considérer
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
38
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2106
2584
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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