RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2106
2584
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link