RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Comparez
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Note globale
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2453
3473
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link