RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
54
Autour de 69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
54
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2938
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link