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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
比較する
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
総合得点
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
54
周辺 69% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
22.8
15.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
17
54
読み出し速度、GB/s
22.8
15.2
書き込み速度、GB/秒
15.4
14.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2938
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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