RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
35
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
35
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2488
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link