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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
35
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
35
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2488
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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