RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
35
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
35
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2488
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link