RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
35
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
35
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2768
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link