RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4022
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link