RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
47
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2654
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link