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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

总分
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

总分
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 47
    左右 -34% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    10.4 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 12.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2169 left arrow 2654

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB RAM的比较

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