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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
47
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
21
读取速度,GB/s
9.3
20.9
写入速度,GB/s
5.9
21.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
4250
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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