RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
34
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
3392
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link