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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de -21% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
2663
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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