RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Micron Technology 16G3200CL22 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
2663
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link