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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
19200
Autour de 1.22 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
23400
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2709
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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