RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
23400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2709
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link