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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
19200
En 1.22 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
23400
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2709
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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