RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
54
Autour de 56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
54
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
1904
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link