RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
54
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
1904
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link