RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3055
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link