RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3055
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link