RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3055
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link