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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2846
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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