RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2846
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link