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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2846
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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