RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
52
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
2,027.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,837.1
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,027.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
794
2370
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link