RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
52
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,027.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,837.1
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,027.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
794
2370
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link