RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,135.0
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
5,021.4
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,135.0
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
3845
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link