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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Note globale
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,135.0
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
5,021.4
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,135.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2620
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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