RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
29
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
19
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3066
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link