RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
29
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3066
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link