RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
29
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3066
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link