RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,378.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
62
Autour de -77% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
3306
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link