RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
62
Autour de -72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
2,378.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
2358
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link