RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3147
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link