RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2395
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link