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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
64
Autour de 58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
64
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2052
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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