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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
64
Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
64
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2052
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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