RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
64
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2052
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link