RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2319
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link