RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3564
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link