RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3564
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link