RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3564
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link