RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
41
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3150
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link