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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
41
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3205
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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