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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Motivi da considerare
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
41
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
22
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
3205
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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