RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3460
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link