RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
59
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3136
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link